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本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于氮化鎵（GaN）單晶生長(zhǎng)；還可用于氧化鎵（Ga2O3）、氮化鋁（AIN）、 磷化銦（InP）、砷化鎵（GaAs）等外延生長(zhǎng)。
本設(shè)備是將SiC籽晶通過有機(jī)膠粘接在石墨上。提高籽晶粘接質(zhì)量是保證高 品質(zhì)SiC晶體生長(zhǎng)的首要前提。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
本設(shè)備主要用于碳化硅（SiC）、氮化鋁（AIN）單晶生長(zhǎng)。
液相法可以在更低的溫度（＜2000℃）以下實(shí)現(xiàn)SiC單晶的生長(zhǎng)，理論上更容易獲得高質(zhì)量的單晶。利用溫度梯度作為生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力來實(shí)現(xiàn)晶體的生長(zhǎng)。