山東力冠微電子裝備

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地址:濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)園

電話(huà):15562450816

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SiC高溫氧化設備

? 專(zhuān)門(mén)用于硅碳化合物(SiC) 的氧化處理,可實(shí)現SiC片在高溫真空環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2,是最安全的毒性氣體氧化爐 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

SiC高溫退火設備

? 專(zhuān)門(mén)用于硅碳化合物(SiC) 的離子激活和退火處理,可實(shí)現SiC片在高溫真空環(huán)境下完成活性工藝 ? 設備適用于SiC基功率器件制造中的離子激活和退火工藝環(huán)節 ? 加熱腔與工藝腔獨立密閉設計,提供工藝腔的潔凈度

LPCVD 臥式

? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(cháng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過(guò)程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長(cháng)的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

LPCVD 立式

? LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一, 主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長(cháng),它是將原材料氣體(或者液態(tài)源氣化)用熱能激活發(fā)生化學(xué)反應而在基片表面生成固體薄膜,LPCVD過(guò)程是在低壓下進(jìn)行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長(cháng)的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業(yè)化生產(chǎn)

PECVD 臥式

? PECVD主要應用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長(cháng),工作原理是在低壓引入高頻射頻電源,采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電,形成等離子體狀態(tài),產(chǎn)生大量的活性基團,這些活性基團在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應并沉積到襯底表面,生長(cháng)出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜

氧化/擴散設備

? 該設備是半導體生產(chǎn)線(xiàn)前工序的重要工藝設備之一,用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ? 設計了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要,具有生長(cháng)效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝

真空退火設備

◆ 主要用于半導體器件退火及燒結等工藝,可進(jìn)行真空、氣體保護等 ◆ 設備結構新穎,操作方便 ◆ 在一臺設備上可以完成多個(gè)工藝流程

LPE外延爐

◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長(cháng)方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式,其生長(cháng)薄層的晶體結構是單晶襯底的延續,而且與襯底的晶向保持對應的關(guān)系 ◆ 在半導體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長(cháng)的砷化鯨(GaAs)純度高、電學(xué)特性好,廣泛的應用于霍爾器件、耿氏二極管、場(chǎng)效應晶體管等微波器件中

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