MPCVD設備
所屬分類：
第四代半導體工藝設備
概要：
? 微波等離子化學氣相沉積技術(shù)(MPCVD) , 通過等離子增加前驅(qū)體的反應速率,降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量的金剛石單晶和多晶薄膜
關(guān)鍵詞：
MPCVD
MPCVD設備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
♦ 本設備主要是用于制備單晶金剛石?？杉ぐl(fā)高穩(wěn)定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續(xù)性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
The equipment is mainly used forthe preparation of single crystal diamond.It can excite the plasma cluster with high stability, thus ensuring the continuity of single crystal growth and providing a strong guarantee for the synthesis of large-size single crystal diamond.
技術(shù)指標/Technical Indicators：
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測溫: 300-1500°C Temperature measurement: 300-1500°C |
極限真空： ≤10Pa Limit vacuum:≤10Pa |
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氣路系統(tǒng): 6路 Gas path system: 6 channels |
壓力范圍: 5-300Torr Pressure range: 5-300Torr |
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微波功率: 0.5-15Kw連續(xù)可調(diào) Microwave power: 0.5-15Kw continuously adjustable |
功率穩(wěn)定性: <2% Power stability: < 2% |
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波紋:≤1% Ripple:≤1% |
微波頻率: 2450MHz士50MHz Microwave frequency: 2450MHz土50MHz |
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微波泄露值: <5Mw/cm² Microwave leakage value: < 5Mw/cm² |
放電區(qū)域:≥100mm Discharge area:≥100mm |
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沉積區(qū)域:≥80mm Sedimentation area:≥80 mm |
生長速率: >12um Growth rate: > 12um |
上一個
上一個
氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設備 臥式
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