SiC高溫氧化爐

所屬分類：

擴(kuò)散/氧化/退火

概要：

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝；設(shè)備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)；加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。

關(guān)鍵詞：

SiC高溫氧化爐

SiC高溫氧化爐

產(chǎn)品概述/Product Introduction：

專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐。

Specially used for oxidation treatment of silicon-carbon compounds (SiC), which can realize the high-temperature oxidaton process of SiC sheets in high-temperature environment.The oxidation process uses O2, O2/H2, N2O, NO, which is thesafest oxidizing furnace for toxic gas.

設(shè)備適用于SiC功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)。

The equipment is suitable for the high temperature oxidation process in the manufacture of SiC-based power devices.

加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計，提供工藝腔的潔凈度。

The heating chamber and the process chamber are designed independently and sealed to provide the cleanliness of the process chamber.

技術(shù)指標(biāo)/Technical Indicators：

♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches

♦ 制程溫度范圍: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C

♦ 批次片數(shù): 50-100片 Batch capacity: 50-100 pcs

產(chǎn)品特點(diǎn)/ Product characteristics：

♦ 采用立式結(jié)構(gòu)、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定

The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable

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