產(chǎn)品分類(lèi)
聯(lián)系方式
晶體提拉設(shè)備
所屬分類(lèi)：
晶體設(shè)備
概要：
◆ 直拉法晶體生長(zhǎng)專(zhuān)用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長(zhǎng)晶體 ◆ 采用自動(dòng)稱(chēng)重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長(zhǎng)過(guò)程
關(guān)鍵詞：
晶體提拉
晶體提拉設(shè)備
產(chǎn)品概述/Product Introduction：
♦ 直拉法晶體生長(zhǎng)專(zhuān)用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長(zhǎng)晶體
Special equipment for Czochralski crystal growth, which can realize Czochralski crystal growth under high pressure, vacuum and protective atmosphere
♦ 采用自動(dòng)稱(chēng)重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長(zhǎng)過(guò)程
Adopting automatic weighing structure, the automatic growth process of Czochralski crystal is realized on the premise of ensuring crystal quality
產(chǎn)品特點(diǎn)/Product Characteristics：
♦ 高精度的傳感器和控制軟件
High precision sensor and control software
♦ 自動(dòng)控制晶體外形
Automatic control of crystal shape
♦ 最高溫度:2400℃
Maximum temperature: 2400℃
♦ 晶體尺寸:2-8英寸
crystal size: 2-8 inches
應(yīng)用范圍/Scope：
♦ 應(yīng)用于氧化家(Ga?O?)單晶生長(zhǎng)，SiC單晶、激光單晶生長(zhǎng)
Applied to Gallium Oxide(Ga?O?)Single Crystal Growth, SiC Single Crystal Growth and Laser SingleCrystal Growth
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