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坩堝下降設備


所屬分類(lèi):

第二代半導體工藝設備


概要:

◆ 主要用于4-8英寸砷化鎵、磷化銦等化合物單晶生長(cháng) ◆ 設備由機架、安部支撐機構、加熱器和控制系統組成 ◆ 能夠實(shí)現安移動(dòng)和轉動(dòng)的精確控制


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坩堝下降爐



坩堝下降設備


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